后摩爾時代異質集成系統中的TCAD
更高分辨率、更先進,更高集成密度
連接器件和設計的橋梁
SoC中的可復用組件
分享了題為《三維全尺寸鍺硅光電二極管與光信號的耦合仿真 A 3D Electrical-optical Fully Coupled TCAD Simulation for SiGe Photo Detector 》
助力半導體工藝仿真走向更高精度、更高效率的未來
總劑量效應是器件輻射效應的一個重要方面